Verfahren zum Erhalten einer Qualitativ Hochwertigen Dünnschicht durch Coimplantation und Thermisches Ausheizen
EP1652230
Art A2
3. Mai 2006
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1652230
- Aktenzeichen
- EP04786008
- Anmeldetag
- 29. Juli 2004
- Veröffentlichung
- 3. Mai 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes