Siliciumcarbid Einkristall, Siliciumcarbid Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid Einkristalls
EP1652973
Art B1
10. August 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., SIXON LTD., THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC., Mitsubishi Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1652973
- Aktenzeichen
- EP05023532
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 10. August 2011
- Erteilung
- 10. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/36C30B23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
SIXON LTD.
THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC.
Mitsubishi Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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Hofer, Dorothea
München, Deutschland
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