Gegenüber Hochtemperaturbelastung Beständige Gespannte Halbleiter-Auf-Isolator-Struktur

EP1654757 Art A2 10. Mai 2006

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1654757
Aktenzeichen
EP04767800
Anmeldetag
28. Juli 2004
Veröffentlichung
10. Mai 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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