Verfahren zur Herstellung von Dünnen Schichten aus Halbleitermaterial aus einem Doppelseitigen Spender-Wafer
EP1654758
Art A1
10. Mai 2006
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1654758
- Aktenzeichen
- EP04769359
- Anmeldetag
- 11. August 2004
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes