Verfahren zur Herstellung eines passivierten Halbleitersubstrats
EP1655767
Art B1
22. März 2017
Anmelder: IMEC VZW, IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1655767
- Aktenzeichen
- EP05447233
- Anmeldetag
- 13. Oktober 2005
- Veröffentlichung
- 22. März 2017
- Erteilung
- 22. März 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM ( IMEC) - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Vertreten von
Van Malderen, Joëlle
Liège, Belgien
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