Graben-MOSFET und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1655784 Art A3 30. April 2008

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1655784
Aktenzeichen: EP05023672
Anmeldetag: 28. Oktober 2005
Veröffentlichung: 30. April 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/08H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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