Verfahren zur Bildung eines Transistors mit einer Integrierten Metallsilizid-Gate-Elektrode
EP1656696
Art B1
21. April 2010
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1656696
- Aktenzeichen
- EP04786450
- Anmeldetag
- 4. August 2004
- Veröffentlichung
- 21. April 2010
- Erteilung
- 21. April 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/44H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
27.461
Patente gesamt
3
Patentanwälte
2
Standorte
Weitere Vertreter
-
Collins, John David
NoneLondon