Siliciumcarbid-Epitaxial-Wafer, Verfahren zur Herstellung eines Solchen Wafers und auf einem Solchen Wafer Ausgebildetes Halbleiterbauelement
EP1657740
Art B1
7. Januar 2015
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1657740
- Aktenzeichen
- EP04771855
- Anmeldetag
- 19. August 2004
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2015
- Erteilung
- 7. Januar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02C30B25/20H01L21/04H01L29/04H01L29/16C30B29/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hoarton, Lloyd Douglas Charles
München, Deutschland
1.651
Patente gesamt
34
Fachgebiete
27
Anmelder-Länder
Schwerpunkte