MOCVD Vorrichtung und Aufwachs-Methode für Nitrid-Halbleiter
EP1657744
Art B1
20. April 2011
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1657744
- Aktenzeichen
- EP05024015
- Anmeldetag
- 3. November 2005
- Veröffentlichung
- 20. April 2011
- Erteilung
- 20. April 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/68H01L21/687H01L21/00C30B25/12C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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