Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung

EP1659622 Art B1 19. Oktober 2016

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1659622
Aktenzeichen
EP05292446
Anmeldetag
18. November 2005
Veröffentlichung
19. Oktober 2016
Erteilung
19. Oktober 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/338H01L29/778H01L29/41H01L21/683// H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nichia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

967 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen