Verfahren zur Herstellung eines Nitrierten Siliziumoxid-Gate-Dielektrikums
EP1661163
Art A2
31. Mai 2006
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1661163
- Aktenzeichen
- EP04782258
- Anmeldetag
- 26. August 2004
- Veröffentlichung
- 31. Mai 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/314H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
Vertreten von
Ling, Christopher John
Winchester, Großbritannien
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