Verfahren zum Integrieren von Metallen mit Verschiedenen Austrittsarbeiten zur Bildung von Cmos-Gates mit Gatedielektrikum mit Hohem K und Diesbezügliche Struktur
EP1661177
Art B1
26. August 2009
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1661177
- Aktenzeichen
- EP04816840
- Anmeldetag
- 31. August 2004
- Veröffentlichung
- 26. August 2009
- Erteilung
- 26. August 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Brookes Batchellor LLP · London