Verfahren zur Herstellung einer Epitaktisch Aufgewachsenen Schicht
EP1664396
Art B1
14. September 2011
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1664396
- Aktenzeichen
- EP04763149
- Anmeldetag
- 7. Juli 2004
- Veröffentlichung
- 14. September 2011
- Erteilung
- 14. September 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/02H01L21/762C30B33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Bomer, Françoise Marie
Saint-Grégoire, Frankreich
76
Patente gesamt
17
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte