Verfahren zur Behandlung Heteroepitaktisch Gewachsener Halbleiterschichten auf Halbleitersubstraten, Halbleitersubstrat mit einer Behandelten Halbleiterschicht und Halbleiterbauelement aus einem Solchen Halbleitersubstrat
EP1665350
Art A1
7. Juni 2006
Anmelder: Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf e.V., nanoparc GmbH, UNIVERSITE CLAUDE BERNARD - LYON 1, Forschungszentrum Dresden - Rossendorf e.V., Forschungszentrum Rossendorf e.V. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1665350
- Aktenzeichen
- EP04786866
- Anmeldetag
- 27. September 2004
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/324H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf e.V.
nanoparc GmbH
UNIVERSITE CLAUDE BERNARD - LYON 1
Forschungszentrum Dresden - Rossendorf e.V.
Forschungszentrum Rossendorf e.V. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇫🇷
Université Claude Bernard Lyon 1
Französische öffentliche Universität in Lyon mit Schwerpunkt Naturwissenschaften, Medizin und Technik. Zahlreiche Patente aus der Forschung in Chemie, Biomedizin und Materialwissenschaften.
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Fachgebiete
Kanzlei
Meissner Bolte Patentanwälte
Bremen, Deutschland
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