Verfahren zum Füllen von Lücken und Verfahren zur Abscheidung von Materialien unter Verwendung einer Hochdichten Chemischen Plasma-Gasphasenabscheidung
EP1665354
Art B1
14. Dezember 2011
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1665354
- Aktenzeichen
- EP04784663
- Anmeldetag
- 20. September 2004
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2011
- Erteilung
- 14. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
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