Sehr Wärmeleitfähiger Siliciumnitrid-Sinterkörper und Siliciumnitrid-Bauelement

EP1666434 Art B1 11. April 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd., KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1666434
Aktenzeichen: EP05741367
Anmeldetag: 19. Mai 2005
Veröffentlichung: 11. April 2012
Erteilung: 11. April 2012
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/584

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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