Phasenänderungsfilm für einen Nichtflüchtigen Halbleiterspeicher und Sputter-Target zur Bildung eines Solchen Phasenänderungsfilms
EP1667230
Art A1
7. Juni 2006
Anmelder: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1667230
- Aktenzeichen
- EP04787719
- Anmeldetag
- 8. September 2004
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/10H01L45/00C23C14/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München