Verfahren zur Bildung einer Halbleiterkapselung und Struktur dafür
EP1668699
Art A2
14. Juni 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1668699
- Aktenzeichen
- EP04817765
- Anmeldetag
- 14. September 2004
- Veröffentlichung
- 14. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/552H01L23/62H05K9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
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10
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