Hybrid-Bipolar-Mos-Halbleiteranordnung mit Graben-Gate
EP1671373
Art A1
21. Juni 2006
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1671373
- Aktenzeichen
- EP04770100
- Anmeldetag
- 27. September 2004
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739// H01L27/07H01L29/78H01L29/732
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Groenendaal, Antonius W. M
NoneEindhoven