Feldeffekttransistor, insbesondere Vertikaler Feldeffekttransistor, Speicherzelle und Herstellungsverfahren
EP1673810
Art B1
25. Februar 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1673810
- Aktenzeichen
- EP04766814
- Anmeldetag
- 16. September 2004
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2009
- Erteilung
- 25. Februar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/49H01L27/108H01L21/336H01L21/8242// H01L29/51H01L29/161
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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