Halbleitersubstrat, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
EP1675169
Art A1
28. Juni 2006
Anmelder: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1675169
- Aktenzeichen
- EP04792014
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L27/12H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Institute of Technology
Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.
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Stebbing, Timothy Charles
London, Großbritannien
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