Herstellungsverfahren für Festwert-MOS-Halbleiterspeicherbauelement
EP1675180
Art B1
9. Dezember 2009
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Srl 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1675180
- Aktenzeichen
- EP04425936
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2009
- Erteilung
- 9. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Srl - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
2.334 Patente in unserer Datenbank
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bartle, Robin Jonathan
Liverpool, Großbritannien
449
Patente gesamt
29
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
W.P. Thompson & Co
W.P. Thompson & Co · Liverpool
-
Maccalli, Marco
Maccalli & Pezzoli S.r.l. · Milano