Herstellungsverfahren für Festwert-MOS-Halbleiterspeicherbauelement
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l., STMicroelectronics Srl 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1675181
- Aktenzeichen
- EP04425937
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247H01L21/28H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics S.r.l.
STMicroelectronics Srl - Land
- 🇮🇹 Italien
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
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