Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden IIIN-Halbleiterchips

EP1675189 Art A3 7. November 2007

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1675189
Aktenzeichen: EP05026485
Anmeldetag: 5. Dezember 2005
Veröffentlichung: 7. November 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00// H01L33/32H01L33/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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