Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements

EP1677359 Art A1 5. Juli 2006

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1677359
Aktenzeichen: EP03758843
Anmeldetag: 23. Oktober 2003
Veröffentlichung: 5. Juli 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/788H01L29/792H01L27/115H01L21/8247H01L27/088H01L21/8234H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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