Verfahren zum Katastrophischen Transfer einer Dünnen Schicht nach Coimplantation
EP1678755
Art B1
17. Oktober 2012
Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1678755
- Aktenzeichen
- EP04805336
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 17. Oktober 2012
- Erteilung
- 17. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Fachgebiete
Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
478
Patente gesamt
32
Fachgebiete
21
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes
-
Casadewall, Barbara
NoneParis
-
Quantin, Bruno Marie Henri
NoneParis