Verfahren zum Herstellen eines Vertikalen Feldeffekttransistors

EP1678767 Art B1 6. April 2011

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1678767
Aktenzeichen
EP04791185
Anmeldetag
8. Oktober 2004
Veröffentlichung
6. April 2011
Erteilung
6. April 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/786H01L21/336H01L29/788
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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