Verfahren zur Herstellung einer auf Siliciumcarbid Basierenden Wabenstruktur und auf Siliciumcarbid Basierende Wabenstruktur
EP1679294
Art B1
28. November 2012
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1679294
- Aktenzeichen
- EP04788312
- Anmeldetag
- 29. September 2004
- Veröffentlichung
- 28. November 2012
- Erteilung
- 28. November 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/622C04B35/565C04B35/626B01J35/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
4.049 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Paget, Hugh Charles Edward
London, Großbritannien
2.000
Patente gesamt
31
Fachgebiete
19
Anmelder-Länder
Schwerpunkte