Galliumnitrid-Halbleiter-Substrat und Herstellungsprozess dafür

EP1679740 Art A1 12. Juli 2006

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1679740
Aktenzeichen: EP04771650
Anmeldetag: 6. August 2004
Veröffentlichung: 12. Juli 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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