Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement

EP1679742 Art B1 3. August 2016

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited, Fujitsu Microelectronics Limited, FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1679742
Aktenzeichen
EP05252769
Anmeldetag
5. Mai 2005
Veröffentlichung
3. August 2016
Erteilung
3. August 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8238H01L27/06H01L27/092// H01L21/8234H01L27/088
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Fujitsu Semiconductor Limited
Fujitsu Microelectronics Limited
FUJITSU LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fujitsu Semiconductor

Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.

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🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

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