Nrom-Flash-Speicher mit Selbstausgerichteter Struktureller Ladungstrennung
EP1680787
Art A2
19. Juli 2006
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1680787
- Aktenzeichen
- EP04800690
- Anmeldetag
- 3. November 2004
- Veröffentlichung
- 19. Juli 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/04H01L21/8246G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Joly, Jean-Jacques
NoneParis