Grossfläches Gan-Substrat mit Einheitlich Geringer Versetzungsdichte und Herstellungsverfahren dafür

EP1682701 Art B1 6. Oktober 2010

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1682701
Aktenzeichen
EP04811296
Anmeldetag
12. November 2004
Veröffentlichung
6. Oktober 2010
Erteilung
6. Oktober 2010
Rechtsraum
EP
IPC
C30B25/02C30B29/40H01L21/20C23C14/06C23C16/30
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Cree, Inc.
CREE, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

1.232 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen