Eingegrenzte Abstandselemente für einen Doppel-Gate-Transistor-Halbleiter-Herstellungsprozess
EP1683186
Art A2
26. Juli 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1683186
- Aktenzeichen
- EP04796345
- Anmeldetag
- 20. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 26. Juli 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L21/3205H01L21/4763
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wray, Antony John
NoneBasingstoke