Linienätz-Rauhigkeitreduktion für die Grabenätzung

EP1683194 Art A2 26. Juli 2006

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1683194
Aktenzeichen
EP04810317
Anmeldetag
3. November 2004
Veröffentlichung
26. Juli 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/4763
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
LAM RESEARCH CORPORATION
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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