Vorrichtung und Verfahren für einen Nrom-Speicher mit Vertikalem Aufgeteiltem Gate
EP1685593
Art A1
2. August 2006
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1685593
- Aktenzeichen
- EP04811107
- Anmeldetag
- 16. November 2004
- Veröffentlichung
- 2. August 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247H01L21/8246H01L27/115H01L29/792H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Joly, Jean-Jacques
Paris, Frankreich
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