Einkristall aus Hochgereinigtem Hexagonalem Bornitrid, der zur Lichtemission im Tiefen Ultraviolett mit Hoher Leuchtdichte Befähigt Ist, Herstellungsverfahren Dafür, Licht im Tiefen Ultraviolett mit Hoher Leuchtdichte Emittierende Vorrichtung und Verwendung der Vorrichtung, Feststofflaser und Feststofflichtemissionseinheit
EP1686202
Art B1
23. März 2011
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1686202
- Aktenzeichen
- EP04799790
- Anmeldetag
- 17. November 2004
- Veröffentlichung
- 23. März 2011
- Erteilung
- 23. März 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C03B9/08C09K11/63H01S5/323B01J3/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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