Lichtleitfasergrundkörper und Herstellungsverfahren dafür
EP1688396
Art A1
9. August 2006
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1688396
- Aktenzeichen
- EP04818938
- Anmeldetag
- 17. November 2004
- Veröffentlichung
- 9. August 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C03B37/018
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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