Programmierverfahren für Speicheranordnung zur Minimierung der lateralen Kopplungseffekten zwischen Speicherzellen
Anmelder: Micron Technology, Inc., STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1688959
- Aktenzeichen
- EP05425052
- Anmeldetag
- 4. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 24. April 2013
- Erteilung
- 24. April 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/34G11C16/10G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
-
Ferrari, Barbara
Botti & Ferrari S.p.A · Milano