Verfahren zur Verbesserung der Öberflächenrauhigkeit eines Halbleiterwafers
EP1690289
Art B9
14. März 2012
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1690289
- Aktenzeichen
- EP03789586
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 14. März 2012
- Erteilung
- 14. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/324H01L21/302H01L21/477
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Vertreten von
Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
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