Auf Gan Basierender Permeabler Basis-Transistor und Herstellungsverfahren

EP1690290 Art A1 16. August 2006

Anmelder: BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1690290
Aktenzeichen: EP04793931
Anmeldetag: 1. Oktober 2004
Veröffentlichung: 16. August 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/335H01L27/082H01L29/06H01L29/772H01L29/20H01L29/739H01L21/329H01L29/32H01L21/3065

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

🇺🇸 BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.

US-amerikanische Tochtergesellschaft von BAE Systems für elektronische Verteidigungssysteme, Sensorik und Kommunikationstechnik.

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Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Mackett, Margaret Dawn Diegem, Belgien

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