Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors

EP1691419 Art A3 24. Oktober 2007

Anmelder: NEC Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1691419
Aktenzeichen: EP06002068
Anmeldetag: 1. Februar 2006
Veröffentlichung: 24. Oktober 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/40H01L21/336// H01L29/417H01L21/311H01L21/3115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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