Zum Entfernen von Freiem Kohlenstoff Behandelte Siliziumkarbidkomponenten von Halbleitersubstratbehandlungsvorrichtungen
EP1691938
Art B1
17. Oktober 2012
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1691938
- Aktenzeichen
- EP04810924
- Anmeldetag
- 12. November 2004
- Veröffentlichung
- 17. Oktober 2012
- Erteilung
- 17. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B08B6/00C25F1/00C25F3/30C25F5/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kontrus, Gerhard
Villach, Österreich
229
Patente gesamt
16
Fachgebiete
3
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Morf, Jan Stefan
NoneMünchen