Verfahren und Vorrichtung zur Bildung eines Bodykontakt-Soi-Transistors
EP1694615
Art A2
30. August 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1694615
- Aktenzeichen
- EP04810814
- Anmeldetag
- 12. November 2004
- Veröffentlichung
- 30. August 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C06C5/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
677
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette