Halbleitersubstrat mit Festphasen-Epitaxialneuwachstum mit Verringerter Tiefe des Dotierungsprofils und Herstellungsverfahren dafür
EP1697979
Art A2
6. September 2006
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1697979
- Aktenzeichen
- EP04801534
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 6. September 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/265H01L21/336H01L29/78H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven