Hocheffiziente Leuchtdioden auf Galliumnitridbasis mit Oberflächenaufrauhung

EP1697983 Art B1 13. Juni 2012

Anmelder: The Regents of the University of California, Japan Science and Technology Agency, The Regents of The University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1697983
Aktenzeichen
EP03819251
Anmeldetag
9. Dezember 2003
Veröffentlichung
13. Juni 2012
Erteilung
13. Juni 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/32H01L33/22H01L33/00H01L21/465H01L29/06H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Firmen
The Regents of the University of California
Japan Science and Technology Agency
The Regents of The University of California
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 University of California

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🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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