Verfahren zur Verhinderung einer Beschädigung von Porösen Materialien mit Niedrigem K Während der Resistentfernung
EP1697984
Art A2
6. September 2006
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1697984
- Aktenzeichen
- EP04812717
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 6. September 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/4763H01L21/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
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