Transistor-Gate-Elektrode mit Leiter-Materialschicht und Herstellungsverfahren
EP1697994
Art B1
25. November 2009
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1697994
- Aktenzeichen
- EP04815678
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 25. November 2009
- Erteilung
- 25. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L29/49H01L21/28H01L21/8238H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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