Synthetische Antiferromagnetstrukturen zur Verwendung in Mtjs in Mram-Technologie
EP1697996
Art A2
6. September 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1697996
- Aktenzeichen
- EP04810475
- Anmeldetag
- 4. November 2004
- Veröffentlichung
- 6. September 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/76
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette