Feldeffekttransistor mit Heteroschichtstruktur sowie Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1697998
Art B1
30. Juni 2010
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1697998
- Aktenzeichen
- EP04820848
- Anmeldetag
- 26. November 2004
- Veröffentlichung
- 30. Juni 2010
- Erteilung
- 30. Juni 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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