Substrat mit Bestimmtem Wärmeausdehnungskoeffizienten
EP1702357
Art B1
18. Juni 2008
Anmelder: S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies, S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies, S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1702357
- Aktenzeichen
- EP04791788
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2004
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2008
- Erteilung
- 18. Juni 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies
S.O.I. TEC Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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